SiC 전력반도체 패키지용 고 방열
무가압 소결형 칩본딩제
Global 경쟁사 대비 고성능/저비용 제조 경쟁력 보유
테라온만의 독자적인 복합소재 조성 설계 및 생산 시스템에 기반한 칩본딩제
• Void 5% 이내(글로벌 파워모듈 적용 평가결과)
• Thermal Cycle 시험시 크랙 및 박리 없음
• 낮은 모듈러스(<15GPa)
• 4x10-6 Ωcm 수준의 낮은 비저항
• 150W/mK 이상의 높은 열전도도
• 우수한 소결밀도, 전기전도성, 접착강도
• 가압 필름형 본딩재 대비 Rds(on) 5% 저감
(동일 패키지 시험결과)
디스펜싱 및 스크린 인쇄 가능
점도 및 요변지수 조절
가사시간 24시간 이상
6개월 이상의 저장 안정성
1x1mm2부터 8x8mm2까지 다양한 크기의 칩에 적용 가능
Open Time | 0hr | 1hr | 2hr |
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Printing | |||
Die Attach |
Open Time | 0hr | 1hr | 2hr |
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Dispensing | |||
Die Attach |
Die Shear Strength Test
C-Scan
Die Shear Tester |
반도체 칩과 기판 등과의 접착력 분석을 위해서 die shear strength tester를 통해서 분석하고 있습니다. 칩은 프로브를 통해서 shear force를 가하고 칩이 탈락될 때의 강도를 정량적으로 분석합니다 |
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C-Scan |
반도체 패키지 계면에서의 void, crack 등의 물성을 비파괴 평가함으로써 die attach, 열처리 이후의 거동, 내환경 시험 이후의 모폴로지 분석합니다. |
LFA (Laser Flash Analysis) |
Die attach paste의 소결 시편에 대한 열전도도를 측정합니다 |
DMA (Dynamic mechanical Analysis) |
칩과 기판과의 열적, 기계적 Stress에 대한 내구성을 평가하기 위해서 온도에 따른 모듈러스를 분석합니다. |
DSC (Differential Scanning Calorimetry) |
Die attach paste를 구성하는 각 성분의 열적 특성 및 Die attach paste의 경화거동 등을 분석합니다. |
무가압 저 모듈러스 실버 저온 소결 기술로 공정 중 Chip
손상 최소화 및 중대형 Chip 적용 등 우수한 물성 확보
우수한 열전도
우수한 접착강도
높은 에너지 효율
저 모듈러스
우수한 열전도도(> 150W/mK), 우수한 접창강도(> 4kgf/1x1mm2), 저 모듈러스(< 15Gpa)
무가압 소결 방식으로 RDS(ON) 값을 낮춰 에너지 효율 제고
가압방식의 글로벌 경쟁사 필름형 칩본딩재 대비 RDS(ON) 5% 저감
짧은 공정 시간 : 90min(170℃/15min→250℃/60min)
TERABOND®-2020H TDS | TERABOND®-1020H TDS | |
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Thermal Conductivity(W/mk) | > 150 | < 150 |
Electrical Resistivity ( X 10-6 Ωcm) | < 5.0 | < 6.0 |
Die Shear Strength (Kgf/1*1mm2) | > 4.0 | > 2.0 |
Modulus(Gpa, 25℃) | < 15 | < 10 |
Process Temperature(℃) | 170 ~ 250 | 170 ~ 250 |
Die Cover Size | 1x1 ~ 8x8mm2 | 1x1 ~ 8x8mm2 |
Workable Surface | Ag, Au, Cu, etc. | Ag, Au, Cu, etc. |
Application Process | Screen Printing/Dispensing | Screen Printing/Dispensing |
Applications |
Die Attach Die Top Attach Spacer Attach |
Die Attach Die Top Attach Spacer Attach |